Samsung’un Planları: GDDR7 ve 1.000 Katmanlı NAND

Samsung, geleceğin ekran kartlarında kullanılacak olan GDDR7 bellekler ve ultra yüksek katmanlı V-NAND yongaların üretimi için çalıştığını duyurdu. Güney Koreli teknoloji devi, bu tür teknolojiler için harcamalarını azaltmayacağını, yavaşlayan piyasaya koşullarına rağmen üretimi düşürmeyeceğini dile getiriyor.

DRAM alanından başlayacak olursak, beşinci nesil 10nm sınıfı çipler için hacimli üretimin (1b isimli teknik) 2023 yılına kadar başlayacağı duyuruldu. Şirket ayrıca 10nm altı DRAM teknolojileri için yeni materyaller, modelleme ve mimariler araştırıyor. Genellikle 14nm sınıfında DRAM çipleri üreten Samsung, bu konuda rakiplerinin çok daha ilerisinde.

Grafik belleğine gelince, önümüzdeki yıllarda ekran kartlarında ve hızlandırıcılarda kullanılacak olan GDDR7 bellekler şimdiden üretimde. GDDR7 standardı, GDDR6’nın sunduğu 18 Gb/sn hızı ikiye katlayarak 36 Gb/sn’ye varan hızlar sunacak. Bu veri hızlarıyla birlikte 384 bitlik bir veri yoluna sahip ekran kartında yaklaşık 1.728 TB/sn bant genişliği elde edilecek. Bu arada, yaklaşan RTX 4090’ın teorik olarak 1 TB/sn’lik bant genişliği sağladığını hatırlatalım.

Söz konusu NAND teknolojisi ve SSD’ler olduğunda şüphesiz Samsung ilk sıralarda. Şirket şimdi katman yoğunluğunda günümüz teknolojisine kıyasla önemli gelişmeler sunacak 9. ve 10. nesil V-NAND yongalarını tasarlamakla meşgul. Son teknoloji 7. nesil V-NAND çipler 176 katmana sunuyor. Samsung, yıl bitmeden 230 katmanlı 8. nesil V-NAND çiplerini piyasaya sürmek için planlar yapıyor.

Teknolojinin farklı alanlarında rol oynayan şirket, 9. nesil V-NAND’ın geliştirme aşamasında olduğunu söylüyor. İşler yolunda giderse seri üretim 2024’te başlayacak. 2030 yılına uzanan hedeflere gelince, 1.000’den fazla katman sunan depolama yongaları planlanıyor.

Yorum yapın

bypuff.com stlpuff.com vozol vapeayr.net seniorpuffs.com shoppuffer.com vozol10000.com